直流高壓發(fā)生器貼片電感的四個(gè)特點(diǎn)

   直流高壓發(fā)生器正朝著(zhù)大電流、高電壓、快通斷、功耗小、易保護、模塊化方向發(fā)展直流高壓發(fā)生器，隨著(zhù)半導體元件制造工藝的完善和制造技術(shù)的提高?，F已出現了雙極性晶體管GP功率場(chǎng)效應管MOSFET功率絕緣柵控雙極性晶體管IGBTIGBT晶體管是集GP與MOSFET二者優(yōu)點(diǎn)于一體的復合器件，既有MOSFET輸入阻抗高、速度快、開(kāi)關(guān)損耗小、驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單、要求驅動(dòng)功率小、極限工作溫度高、易驅動(dòng)的特點(diǎn)穩定運行直流高壓發(fā)生器的方法，又具有功率晶體管GP通態(tài)電壓低、耐壓高和電流容量大的優(yōu)點(diǎn)，電壓控制通斷的自關(guān)斷器件，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于數十kHz頻率范圍內，功率元件IGBT正日益廣泛地應用于體積小、噪音低、性能高的變頻電源及大功率的交流伺服電機的調速系統中直流高壓發(fā)生器，較高頻率的大、應用中占據了主導地位，并已開(kāi)始在上述領(lǐng)域中取代功率雙極性晶體管GP和功率場(chǎng)效應管MOSFET中。與GP和MOSFET一樣，IGBT應用的關(guān)鍵問(wèn)題是驅動(dòng)電路和保護電路，本文根據在實(shí)際工作中對IGBT應用討論有關(guān)IGBT驅動(dòng)及保護問(wèn)題。

　　電力電子行業(yè)占據相當大的比重。目前介紹開(kāi)關(guān)電源電磁兼容的文章很多，小功率反激電源作為市場(chǎng)上的電源之一。不過(guò)考慮到市場(chǎng)化，小功率反激電源只用一級EMI濾波，無(wú)散熱片，還有很重要的一點(diǎn)，要考慮可生產(chǎn)性。這與單純的電磁兼容研究有很大區別。

　　一個(gè)是由封裝上表面傳到空氣中，集成電路的熱阻和晶體管的熱阻大至相同、集成電路(IC散熱主要有兩個(gè)方向。另一個(gè)則是由IC向下傳到PCB板上，再由板傳到空氣中。當IC以自然對流方式傳熱時(shí)，向上傳的部分很小直流高壓發(fā)生器，而向下傳到板子則占了大部分，以導線(xiàn)腳或是以球連接于板上的方式，其詳細的散熱模式不盡相同。但這會(huì )增加制造成本和復雜性。封裝熱阻的改善手段主要可透過(guò)結構設計、材料性質(zhì)改變以及外加散熱增進(jìn)裝置三種方式、其中影響較大的加裝散熱器。

　　直流高壓發(fā)生器貼片電感具有以下特點(diǎn)：

　　1、平底表面適合表面貼裝。

　　2、異的端面強度良好之焊錫性。低阻抗之特點(diǎn)。

　　3、具有較高Q值。低直電阻直流高壓發(fā)生器在低轉速下運行時(shí)，

　　4、低漏磁。耐大電流之特點(diǎn)。便于自動(dòng)化裝配5、可提供編帶包裝。普通功率電感和大電流電感的區別：另外它還有以下特點(diǎn)大電流電感具備所有SMD功率電感的特點(diǎn)。

　　直流高壓發(fā)生器電感線(xiàn)圈使用粗痛線(xiàn)和扁平線(xiàn)繞制具有以下特點(diǎn)：

　　1、耐大電流?？赡痛箅娏?，較高可承受80A 電流具有很好的密封性和高穩定性。

　　2、高穩定性、大電流電感采用全封閉磁屏蔽結構。

　　3、適用范圍廣、大電流電感具有*的耐侯性、可以用于電腦主板、顯卡等這些長(cháng)時(shí)間工作的設備上。濾波電路等,而普通的功率電感只能用做DC-DC模塊、盡管所起到作用是一樣的但是大電流電感所承擔的責任比普通功率電感要大的多。具有*的穩定性,目前許多電腦主板廠(chǎng)家都在開(kāi)發(fā)使用大電流電感組列作成的濾波電路。